BB302M
打造偏置电路MOS FET IC
甚高频射频放大器
ADE - 208-572 A（ Z）
第2位。版
1997年9月
特点
打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
低噪音的特点;
（ NF = 1.7 dB典型值，在f = 200兆赫）
承受静电放电;
打造ESD吸收二极管。承受高达240V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143mod ）
概要
MPAK-4
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注1标记为“ BW- 」 。
注2 BB302M是日立BBFET个别型号。
