三菱半导体功率模块MOS
采用智能功率模块
图6.21
开关能量损失
FOR V系列IPM的
图6.22
功率损耗
模拟
PM75RVA060 （典型值）。
图6.23
功率损耗
模拟
PM100CVA060 （典型值）。
10
3
条件：
感性负载
T
j
= 125
o
C
V
CC
= 1/2 V
CES
V
D
= 15V
1200V系列
600V系列
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
开关能量（兆焦耳/脉冲）
10
2
200
200
150
P（ W）的
150
P（ W）的
10
1
100
10
0
E
SW （ON）的
+ E
SW （OFF）的
兼容I
C
范围：
额定我
C
×
0.1 ~ 1.4
100
50
50
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0
0
20
40
60
I
O
（武器）
0
集电极电流，I
C
（安培）
80
100
120
0
20
40
60
I
O
（武器）
80
100
120
图6.24
功率损耗
模拟
PM150CVA060 （典型值）。
图6.25
功率损耗
模拟
PM200CVA060 （典型值）。
图6.26
功率损耗
模拟
PM300CVA060 （典型值）。
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
200
200
200
150
P（ W）的
150
P（ W）的
150
P（ W）的
100
100
100
50
50
50
0
0
20
40
60
I
O
（武器）
0
80
100
120
0
40
80
120
I
O
（武器）
0
160
200
240
0
40
80
120
I
O
（武器）
160
200
240
图6.27
功率损耗
模拟
PM400DVA060 （典型值）。
图6.28
功率损耗
模拟
PM600DVA060 （典型值）。
图6.29
功率损耗
模拟
PM50RVA120 （典型值）。
250
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
350
300
250
P（ W）的
350
V
CC
= 300V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
300
250
P（ W）的
200
150
P（ W）的
200
150
100
200
150
100
50
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
100
50
50
0
0
40
80
120
I
O
（武器）
0
160
200
240
0
40
80 120 160 200 240 280 320 360
I
O
（武器）
0
15
30
45
I
O
（武器）
60
75
90
Sep.1998
