三菱半导体功率模块MOS
采用智能功率模块
温度保护电路。
过温功能亲
国际志愿组织的有效保护
过载和冷却系统故障 -
URES在大多数应用中。不过，
它并不能保证马克西
妈妈的结温额定值
在IGBT芯片决不会EX-
超过容许。在正常情况下，
高损耗，例如失败的
系统控制器正常稳压
后期电流或过高
开关频率是可能
为IGBT芯片超过牛逼
J（下最大）
BE-
前底板到达OT
触发电平。
注意事项：
跳闸的过温的
保护是应激的指示
FUL操作。重复跳闸
应尽量避免。
6.4.4过电流保护
该IPM采用电流检测IGBT
片连续地监视
功率器件的电流。如果当前
虽然智能电源MOD-
ULE超过指定
过电流脱扣值（ OC）用于将外围
荒漠化问题比吨长
关（ OC ）
综合平台管理系统
内部控制电路将保护
通过禁用功率器件
栅极驱动器，并产生一个故障
输出信号。的时机
过电流保护中示出
图6.17 。经t
关（ OC ）
延迟
为了避免跳闸实施
平短的OC保护
目前的OC上述脉冲
水平是没有危险的
功率器件。当过电流
租金检测到控制关断模式
下启动和故障输出
被产生。控制关断模式
向下降低了关断的di / dt其中
有助于控制瞬变电压
时可能出现的
从高故障电流关断。
大多数智能模块使用
在图 - 描绘两步关闭
URE 6.17 。在这两个步骤中关闭，
栅极电压降低到一个
图6.15
输入
信号
中间电压造成的
电流通过设备丢弃
慢慢地在低水平。然后，关于
为5μs后，栅极电压是重
缩小以零完成关闭
下来。一些大的6和
7组的IPM使用活动
栅极电压的斜坡来实现
在关断di / dt的期望降低
在高故障电流。该振荡
图6.18 lographs说明
欠压锁定的操作
UV
r
UV
t
控制
供应
电压
故障
产量
当前
(I
FO
)
t
FO
t
DUV
t
FO
t
DUV
国内
门
电压
V
GE
控制电源ON
短
故障
忽视
电源
故障和
恢复
控制电源OFF
图6.16
输入
信号
过热的操作
BASE PLATE
温度
（TB）的
OT
OT
r
故障输出
当前
(I
FO
)
国内
门
电压
V
GE
Sep.1998
