三菱半导体功率模块MOS
采用智能功率模块
图6.30
功率损耗
模拟
PM75RVA1200 （典型值）。
图6.31
功率损耗
模拟
PM100CVA120 （典型值）。
6.6
控制智能
电源模块
350
300
250
P（ W）的
350
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
300
250
P（ W）的
200
150
100
50
0
0
200
150
100
50
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
IPM （智能功率模块）
易于操作。综合
驱动和保护电路需要
只有隔离电源和
低电平的开/关控制信号。一
故障输出提供了监控仪
荷兰国际集团的模块的操作IN-
ternal保护电路。
6.6.1控制电源
15
30
45
I
O
（武器）
60
75
90
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180
I
O
（武器）
图6.32
功率损耗
模拟
PM150CVA120 （典型值）。
图6.33
功率损耗
模拟
PM200DVA120 （典型值）。
350
300
250
P（ W）的
350
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
全损
300
250
P（ W）的
200
150
100
50
0
0
200
150
100
50
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
总
损失
20
40 60 80 100 120 140 160 180
I
O
（武器）
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180
I
O
（武器）
图6.34
功率损耗
模拟
PM300DVA120 （典型值）。
350
300
250
P（ W）的
200
150
100
50
0
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 125°C
P.F. = 0.8
FC = 10kHz的
直流损耗
SW损失
总
损失
根据不同的电源电路
该模块的一个配置，
两个或四个隔离电源
需要由IPM的内部
驱动和保护电路。在高
使用功率3相逆变器
单路或双路型的IPM是好的
练习用6隔离电源
耗材。在这些高电流AP-
每并发症低侧器件
必须有自己的隔离控制
为了避免电源
接地回路的噪声问题。该
控制设备应稳压
迟来到15V ±10％，以
避免过压损坏或假
跳闸欠压亲的
保护。该电源应该有
在隔离电压额定值
至少两倍的IPM的V
CES
额定
ING （即V
ISO
= 2400V的1200V
模块）。那必须是当前
通过控制电源提供支持
帘布层是静态电流的总和
租需要供电的内部
控制电路和电流再
引入来驱动IGBT的栅极。
表6.5总结了典型的
和最大功率的控制
提供的电流要求
20
40 60 80 100 120 140 160 180
I
O
（武器）
Sep.1998
