bq27000 ， BQ27200
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SLUS556B - 2004年9月 - 修订2004年11月
缩放EDVF阈值（ SEDVF ） - 地址0x77
该寄存器包含阈值为零电池容量的换算值。为了计算该值，以
程序，使用下面的公式：
SEDVF =设计EDVF （MV ） / 8 - 256
缩放EDV1阈值（ SEDV1 ） - 地址0x78
该寄存器包含电压的换算值时，所述电池具有6.25％的剩余容量。当
电池电量在有效解除这一阈值时，设备学习满电池容量，包括
其余的6.25 ％ 。见
bqJUNIOR学习能力
节上的学习周期的更多信息
该设备。为了计算编程的值，可以使用下面的公式：
SEDV1 =设计EDV1 （MV ） / 8 - 256
初始待机负载电流（ ISLC ） - 地址0x79的
该寄存器包含缩放，终端设备设计的待机电流。在完全复位或POR ，这个值是
传送到SI寄存器和用于计算待机时间到空。仪表学会了一门新的备用
加载如果放电活动高于DMF中的阈值，且小于或等于2倍的初期待机
负载。
如果平均电流小于或等于2倍的初期待机负载的负载量学习周期被取消资格
当达到EDV1阈值电压。根据上面的公式编程这个值是：
ISLC =设计待机电流（mA ） * R
S
(m) / 7.14
其中R
S
是在该系统中使用的感测电阻器的值。
震级数字滤波器和自放电值（ DMFSD ） - 地址0x7A
第7位
名字
DMF[3]
第6位
DMF[2]
第5位
DMF[1]
4位
DMF[0]
第3位
SD[3]
第2位
SD[2]
第1位
SD[1]
位0
SD[0]
DMF中[3：0 ]
设置数字滤波器幅度阈值。见
bqJUNIOR数字滤波器幅度
节
在DMF中的功能的详细信息。要编程的值是：
DMF中[3：0 ] =设计阈值/ 4.9
设置在25℃时的自放电率％ /日的价值。要编程的值是：
SD [3：0 ] = 1.61 /设计的SD
SD [3：0 ]
NAC的降低，估计自放电修正来调整的预期的自放电
电池。进行该估计仅当电池没有被充电。在编程的速度
EEPROM用于DMFSD确定自放电时20℃下
≤
TEMP < 30 ℃。自放电估计是
加倍为每个10℃十比20-30 ℃的十热，最高可达16倍的编程
率TEMP
≥
60℃，被减半为每10 ℃的十比20-30 ℃的十更冷，下降到最低
1 / 4的编程率TEMP < 0 ℃。自放电估计是通过减少NAC通过执行
NAC / 512在一个时间间隔，可实现所期望的估计。如果DMFSD编程有8个小数，则
自放电速率为每天0.195 ％，在20-30 ℃下的十年。这是通过减少NAC通过完成
NAC / 512 （五百一十二分之百= 0.195 ％ ），单次每23.3小时（ 0.195 * 24 / 23.3 = 0.2） 。如果温度上升
10 ℃时， 0.195 ％的NAC减少由每11.65小时每天减少0.4％ 。如果锥度[7 ] = 1 ，
老龄化的能力已启用，并且有一个LMD减少0.01 ％ （设计容量/ 1024） ，每次有
8 NAC的自放电估算减少不将电池充电到满。
收尾电流（锥） - 地址0x7B
该寄存器包含使能位的能力老化估计和锥度充电电流值。该
锥度的电流值中，除了电池电压，用于确定当电池已达到满
充电状态。方程编程的收尾电流为：
锥[ 6-0 ] =锥形设计电流（mA ） * R
S
(m)/228
V
其中R
S
是在该系统中使用的感测电阻器的值。
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