bq27000 ， BQ27200
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SLUS556B - 2004年9月 - 修订2004年11月
检测条件，必须保持连续4平均电流测量（20-25多个）
有资格作为一个有效的收尾电流检测。该位被清零
0
所有复位。
CI
容量不精确的标志。一
1
表示该固件还没有通过有效的学习周期是
并立足于初始设计值的所有计算编程到EEPROM或有
一直以来的最后学习周期至少32循环计数递增。该位只清除在
LMD更新下一个学习周期。此位被设置为
1
在一个完全复位。以前的值是
如果没有腐败的RAM在复位后检测保留。
标定中标志。此标志设置时自动或指挥失调
校准测量正在取得。此位被设置为
0
所有复位。
有效解除标志。一
1
表明bqJUNIOR已经满足了所有的要求
固件来学习的电池容量。该位清
0
在LMD更新或病症
无权担任一个学习周期。该位被清零
0
所有复位。
最终放电电压的第一标志。一
1
表示来对BAT引脚电压小于或等于
到EDV1电压在EEPROM中编程和电池具有小于或等于6.25％
NAC剩余电量。 LMD立即更新如果VDQ位被置位时，此位转换
从
0
1。该位清零
0
所有复位。
放电终止电压的最终标志。一
1
表示电池已放电到空
容量阈值。该位被清零
0
所有复位。
CALIP
VDQ
EDV1
EDVF
主机系统具有只读访问这个寄存器。
相关国家的主管（ RSOC ） - 地址0x0B中
RSOC报告标称可用容量为最后实测流量值（ LMD ）的百分比。该
方程是：
RSOC （％）= 100 * NAC / LMD
主机系统具有只读访问这个寄存器。
标称电量寄存器（氯化钠/ NACH ） - 地址0x0C的/ 0X0D
该充电过程中对寄存器的增量（V
SRP
＆ GT ; V
SRN
）如果在电压> EDVF阈值和递减
放电（V
SRP
＆ LT ; V
SRN
） 。在NAC寄存器复位清零，如果检测到内存损坏。登记
复位后的值被保持，如果未检测到RAM中的腐败。主机系统具有只读到该访问
寄存器对。 NAC报道在每个计数3.57 μVh单位。
放电率补偿电量寄存器（ CACDL / CACDH ） - 地址
0x0E/0x0F
该寄存器对报道中电池的可用容量，放电率补偿。该寄存器对
如下NAC的电荷中和从NAC的放电过程中通过从AI和计算量减少的
排放编程到EEPROM率补偿值。 CACD不允许增加而
放电，这样，如果放电速率降低时，可用容量也不会增加。 CACD等于NAC
如果CHGS位为1，如果CHGS是0， CACD是以前的和新的计算值中较小的。主人
系统具有只读访问这个寄存器对。 CACD报道中的每个计数3.57 μVh单位。
温度补偿CACD寄存器（ CACTL / CACTH ） - 地址为0x10 / 0x11的
此寄存器对报告电池中的可用容量，用于排出率和温度补偿。
此寄存器对如下CACD期间充电和放电，除非温度降到低于
阈值编程到EEPROM中。一旦温度低于编程的阈值时， CACT
值从CACD减少从ILMD计算的量和温度补偿常数
编程到EEPROM中。这是用于计算时间 - 空和补偿的基准容量值
先进设备充电。主机系统具有只读访问这个寄存器对。 CACT报在3.57单位μVh
每个计数。
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