bq27000 ， BQ27200
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SLUS556B - 2004年9月 - 修订2004年11月
用户可以选择使用这个字节在EEPROM作为识别字节。如果是这样使用的，用户应忽略
在美林和MLTTE寄存器的值。
放电率补偿常数（ DCOMP ） - 地址0x7E的
该寄存器是用来设置放电率补偿系数。这些系数被施加到
标称可用电荷来更精确地预测在高放电速率下的容量。
第7位
名字
DCGN[5]
第6位
DCGN[4]
第5位
DCGN[3]
4位
DCGN[2]
第3位
DCGN[1]
第2位
DCGN[0]
第1位
DCOFF[1]
位0
DCOFF[0]
DCGN [5：0 ]
放电率补偿增益。用于设定放电率容量的斜率
补偿。增益因子的调整是在放电过电流的0.39 ％增量
的DCOFF值。根据上面的公式编程的值是：
DCGN [ 5 ： 0 ] = 2.56 *设计流量补偿增益％
DCOFF [1 ：0]的
这些位设置补偿放电标称可充放电阈值
率。该阈值被设定为表5中列出。
表5.放电率补偿阈值
DCOFF[1]
0
0
1
1
DCOFF[0]
0
1
0
1
DCOFF门槛
0
LMD/2
LMD / 4
LMD / 8
放电补偿， DCMP ，从这些系数计算如下：
DCMP = DCGN （ AI- DCOFF ） / 256
其中， DCMP
≥
0。 CACD寄存器则取值为：
CACD = NAC - （ DCMP - LMDCMP ） ，如果DCMP > LMDCMP或
CACD = NAC ，如果DCMP
≤
LMDCOMP
其中， LMDCMP是DCMP的当最后LMD值学到的值。这允许补偿
CACD适应作为LMD值教训。
如果PKCFG [1] = 1 ，该装置假定的0x42为DCOMP一个固定值，得到放电速率补偿
6.25 ％的涨幅与C / 4的补偿阈值。这释放的0x7E的EEPROM存储单元用作
可编程的标识字节。
温度补偿常数（ TCOMP ） - 0x7F的地址
该寄存器用于设置补偿系数为温度。这些系数被施加到
放电率可补偿费用，以更准确地预测可在低温的能力。
第7位
名字
TCGN[3]
第6位
TCGN[2]
第5位
TCGN[1]
4位
TCGN[0]
第3位
TOFF[3]
第2位
TOFF[2]
第1位
TOFF[1]
位0
TOFF[0]
TCGN [3 ：0]的
温度补偿增益。用于设置补偿的斜率的百分比
按设计容量（ DC ）减少
°C.
根据上面的公式编程的值是：
TCGN [ 3 ： 0 ] = 10.24 *设计温度补偿增益％， DC /°C的
温度补偿偏置。补偿用来设置偏移。温度
阈值也被用作冷温度取消资格的学习周期，如果TCOMP
≠
0.
根据上面的公式编程的值是：
TOFF [3：0 ] =设计温度补偿偏移（ °K） - 273
TOFF [3 ：0]的
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