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三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
AC电气特性
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V ± 0.3V ）
写模式
（ / CE控制）
符号
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能建立时间
写使能保持时间
/ CE脉冲宽度
/ CE脉冲宽度高
字节使能高或低设定时间
字节使能高电平或低电平保持时间
块锁的建立，使能高
Lockhold从有效SRD座
自动程序操作的持续时间
自动块擦除操作的时间
/ CE能高到RY / BY低
/ RP高价回收来写使能低
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WS
t
WH
t
CEP
t
CEPH
t
BS
t
BH
t
BLS
t
WPS
t
BLH
t
WPH
t
DAP
t
DAE
t
EHRL
t
PS
t
AVAV
t
AVEH
t
EHAX
t
DVEH
t
EHDX
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
t
FL /港灯
t
EHFL / H
t
PHHEH
t
QVPH
t
EHRH1
t
EHRH2
t
EHRL
t
PHEL
M5M29FB/T800-80
民
典型值
最大
80
50
10
50
10
0
0
60
20
50
80
80
0
7.5
50
500
120
600
80
范围
M5M29FB/T800-10
民
典型值
最大
100
50
10
50
10
0
0
60
20
50
100
100
0
7.5
50
500
120
600
100
M5M29FB/T800-12
民
典型值
最大
120
50
10
50
10
0
0
60
20
50
120
120
0
7.5
50
500
120
600
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
在读命令写入操作模式的时序参数都是一样的期间只读操作模式。
在Vcc = 3.3V时的典型值， TA = 25℃
擦除和编程性能
参数
块擦除时间
主要区块写时间（页面模式）
页写时间
民
典型值
50
1.9
7.5
最大
600
3.8
120
单位
ms
美国证券交易委员会
ms
VCC上电/掉电时序
符号
t
VCS
参数
/ RP = V
IH
建立时间从Vccmin
民
2
典型值
最大
单位
s
在上电/掉电，通过控制引脚的噪声脉冲，该设备具有意外擦除或编程的可能性。
该设备必须在上电期间受到保护，免遭写周期内存含量研究的开始/下。
始终需要min.2μsec的延迟时间的读操作之前或从该时间的Vcc达到启动的写操作
在上电/掉电Vccmin 。按住/ RP V
IL
，内存的内容及过程中的Vcc上电时保护/下。
上电时， / RP必须保持V
IL
从时间min.2μs cc达到Vccmin 。
在断电， / RP必须保持V
IL直到到达的Vcc GND 。
/ RP不具有锁存模式，所以/
RP必须保持V
读操作或擦除/编程操作过程中IH 。
8
1997年5月， Rev.6.1
