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三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
软件命令定义
该设备操作通过编写特定的软件选择
命令到命令的用户界面。
读阵列命令
（ FFH ）
该设备是在初始器件上电读阵列模式，
从深掉电退出后，或者通过写FFH的
命令的用户界面。该器件仍然在读阵列
模式，直到其他命令被写入。
阅读设备标识符命令
(90H)
虽然PROM编程器可以正常读取设备标识符
通过提高A码
9
到V
ID
，复用高压到地址
线是不希望为微处理器系统。它是一个其他
指读设备识别码读取设备标识符
代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。以下
命令写入，制造商代码和设备代码
可以从地址0000H和0001H ，分别读取。
读状态寄存器命令
(70H)
写读状态寄存器后，状态寄存器读
命令70H到命令的用户界面的。
状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌
中/ OE或/ CE优势。因此， / CE或/ OE必须切换每个状态
读取。
清除状态寄存器命令
(50H)
擦除状态和程序状态位被设置为"1"s
写状态机，并且只能通过清除状态被重置
寄存器50H的命令。这些位指示各种故障
条件。
块擦除/确认命令
(20H/D0H)
自动块擦除是通过写块擦除启动
20H的命令，随后D0H的确认命令。一
要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM
反复执行擦除脉冲应用和擦除验证
操作。
页面编程命令（ 41H ）
网页程序允许数据128words的快速编程。
41H写入启动页编程操作。从2日
循环到第129周写数据必须串行输入。地址
A6-0必须从00H递增至7FH 。完成后
数据加载中， WSM控制所述编程脉冲的应用
并确认操作。
基本上重新编程不能一个网页，其中有做
已编程。
挂起/恢复命令
(B0H/D0H)
在块擦除写B0H的暂停命令
操作中断的块擦除操作，并且允许读出
从另一个内存块。写的暂停命令
在编程操作期间B0H中断程序的操作
并允许从存储器另一个块中读出。该装置
继续输出状态寄存器中读取数据时，后
暂停命令写入到它。轮询WSM状态和
暂停状态位将决定何时擦除操作或
程序操作已被暂停。在这一点上，书写的
读阵列命令崔可实现从读数据
块比被暂停等。当简历
D0H的命令写入到崔的WSM将继续
在擦除或编程过程。
数据保护
该M5M29FB / T800提供了可选的内存块锁定
块。每个块具有相关联的非易失性锁定位这
确定该块的锁定状态。
此外，该
M5M29FB / T800有一个主写保护引脚（ WP ）的
防止了任何修改的存储器块，其锁定位
设置为"0" ，当/ WP为低电平。当/ WP较高或/ RP为V
HH
，所有
模块可以编程或状态的擦除不管
锁位和锁定位被擦除清"1" 。
电源电压
当电源电压（Vcc ）低于2.2V时，器件
被设置为只读模式。
2延迟时间我们需要的任何设备的操作之前，
发起。的延迟时间是从时间的Vcc达到测
Vccmin （ 3.0V ） 。
上电时， / RP = GND建议。飘落在忙
状态是不建议损坏器件的可能性。
3
1997年5月， Rev.6.1
