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三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
AC电气特性
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3 ± 0.3V ）
只读模式
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
芯片使能高到高Z输出
输出使能，以在低Z输出
输出使能高到高Z输出
/ RP低到输出高阻
/ BYTE访问时间
/ BYTE低到输出高阻
输出保持在/ CE ， / OE ，地址
/ CE低/高字节或低
地址/ BYTE高或低
/ OE从/ WE高举行
/ RP恢复/ CE低
t
RC
t
一（ AD）
t
一（ CE ）
t
一个（OE）
t
CLZ
t
DF （ CE）
t
OLZ
t
DF （ OE ）
t
PHZ
t
BHZ
t
OH
t
BCD
t
BAD
t
OEH
t
PS
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
t
PLQZ
t
FLQZ
t
OH
t
ELFL / H
t
AVFL / H
t
WHGL
t
PHEL
M5M29FB/T800-80
民
典型值
最大
80
80
80
40
0
25
0
25
150
80
25
0
5
5
80
500
范围
M5M29FB/T800-10
民
典型值
最大
100
100
100
50
0
25
0
25
150
100
25
0
5
5
100
500
M5M29FB/T800-12
民
典型值
最大
120
120
120
60
0
30
0
30
300
120
30
0
5
5
120
500
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
一（ BYTE ）
t
FL / HQV
定时测量是根据AC波形读操作进行。
AC电气特性
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V ± 0.3V ）
写模式
（ /我们控制）
范围
符号
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
芯片使能建立时间
芯片使能保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
字节使能高或低设定时间
字节使能高电平或低电平保持时间
块锁的建立，使能高
Lockhold从有效SRD座
自动程序操作的持续时间
自动块擦除操作的时间
写使能高到RY / BY低
/ RP高价回收来写使能低
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
t
BS
t
BH
t
BLS
t
WPS
t
BLH
t
WPH
t
DAP
t
DAE
t
WHRL
t
PS
t
AVAV
t
AVWH
t
WHAX
t
DVWH
t
WHDX
t
ELWL
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
t
FL / HWH
t
WHFL / H
t
PHHWH
t
QVPH
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRL
t
PHWL
M5M29FB/T800-80
民
典型值
最大
80
50
10
50
10
0
0
60
20
50
80
80
0
7.5
50
500
120
600
80
M5M29FB/T800-10
民
典型值
最大
100
50
10
50
10
0
0
60
20
50
100
100
0
7.5
50
500
120
600
100
M5M29FB/T800-12
民
典型值
最大
120
50
10
50
10
0
0
60
20
50
120
120
0
7.5
50
500
120
600
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
在读命令写入操作模式的时序参数都是一样的期间只读操作模式。
在Vcc = 3.3V时的典型值， TA = 25℃
7
1997年5月， Rev.6.1
