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飞利浦半导体
BUK95/962R8-30B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
100
ID
(A)
80
03ng22
5
VGS
(V)
4
VDD = 14 V
03ng20
VDD = 24 V
60
3
40
TJ = 175摄氏度
20
TJ = 25℃
2
1
0
0
1
2
3
VGS （ V）
4
0
0
20
40
60
80
100
QG （ NC ）
V
DS
= 25 V
T
j
= 25
°C;
I
D
= 25 A
图13.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
图14栅极 - 源极电压为导通的功能
栅极电荷;典型值。
100
IS
(A)
80
03ng19
60
40
TJ = 175摄氏度
20
TJ = 25℃
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD （V）的
0
V
GS
= 0 V
图15，反向二极管的电流为反向二极管电压的函数;典型值。
9397 750 10273
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产品数据
牧师02 - 二○○二年十月十四日
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