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飞利浦半导体
BUK95/962R8-30B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
2.5
VGS （ TH）
(V)
2.0
最大
03ng52
10-1
ID
(A)
10-2
03ng53
1.5
典型值
-3
10
民
典型值
最大
1.0
民
10-4
0.5
10-5
0.0
-60
0
60
120
TJ （OC）
180
10-6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VGS （ V）
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= V
GS
图9，栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
图10，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
150
政府飞行服务队
(S)
125
03ng21
14000
C
（PF ）
12000
西塞
10000
8000
03ng26
100
75
6000
科斯
50
4000
CRSS
25
2000
0
0
0
20
40
60
ID （ A）
80
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图11.正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值。
图12.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值。
9397 750 10273
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产品数据
牧师02 - 二○○二年十月十四日
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