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飞利浦半导体
BUK95/962R8-30B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
表4 ：特性
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
SD
t
rr
Q
r
参数
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
条件
I
S
= 40 A; V
GS
= 0 V;
图15
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的
V
GS
=
10
V; V
DS
= 20 V
民
-
-
-
典型值
0.85
109
171
最大
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
源极 - 漏极二极管
9397 750 10273
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产品数据
牧师02 - 二○○二年十月十四日
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