MTP8N50E
典型电气特性
4000
VDS = 0 V
C，电容（pF ）
3000
西塞
VGS = 0 V
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10,000
VGS = 0 V
西塞
1,000
TJ = 25°C
2000
西塞
CRSS
1000
CRSS
–5.0
0
VGS VDS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
5.0
10
15
20
25
科斯
100
科斯
CRSS
0
–10
10
10
100
漏 - 源电压（伏）
1000
图8.高压电容变化
图7.电容变化
V GS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
10
8.0
VGS
6.0
4.0
2.0
Q3
0
0
8.0
VDS
16
24
QG ，总栅极电荷（ NC）
32
TJ = 25°C
ID = 8的
Q1
Q2
400
1000
TJ = 25°C
ID = 8的
VDD = 250 V
VGS = 10 V
T， TIME （ NS ）
300
200
100
V DS ，漏极至源极电压（伏）
100
0
40
10
1.0
TD （关闭）
tr
tf
TD （上）
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图9.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
8.0
TJ = 25°C
VGS = 0 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
6.0
100
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
10
m
s
100
m
s
1.0
1毫秒
10毫秒
dc
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
0.1
1.0
10
100
1000
I S ，源电流（安培）
10
4.0
2.0
0.1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
0.01
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图11.二极管的正向电压与
当前
图12.最大额定正向偏置
安全工作区
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
