摩托罗拉
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通过MTP8N50E / D
数据表
TMOS E- FET 。
功率场效应晶体管
设计师
MTP8N50E
TMOS功率场效应晶体管
8.0安培
500伏
RDS （ ON）= 0.8 OHM
N沟道增强型硅栅
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力，而不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的TMOS
E- FET的设计可承受高能量雪崩和
换模式。这种新的节能设计还提供了一个
漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。专为低
电压，在电源的高速开关应用，
转换器， PWM马达控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和换向安全
经营范围是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同
以离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
D
G
S
CASE 221A -06型5
TO-220AB
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0M，
W
)
栅极 - 源极电压 - 连续
栅极 - 源极电压
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续@ TC = 25°C
漏电流
- 连续@ TC = 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
m
s)
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10伏，峰值IL = 8.0 APK， L = 16毫亨， RG = 25
W
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
案件从5秒最大的铅焊接温度的目的， 1/8“ 。
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
价值
500
500
±20
±40
8.0
5.0
32
125
1.0
- 55 150
510
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
R
q
JC
R
q
JA
TL
1.0
62.5
260
° C / W
°C
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
E- FET和设计师的有摩托罗拉，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
REV 2
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
