MTP8N50E
典型电气特性
16
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
8V
12
6V
VGS = 10 V
7V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
16
14
12
10
8.0
100°C
6.0
25°C
4.0
TJ = -55°C
2.0
0
0
12
2.0
4.0
6.0
8.0
10
VDS ，漏极至源极电压（伏）
14
0
2.0
2.5
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
VGS ，栅极至源极电压（伏）
6.5
7.0
VDS
≥
10 V
8.0
4.0
5V
图1.区域特征
图2.传输特性
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0
2.0
4.0
8.0
12
6.0
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
–55°C
14
16
VGS = 10 V
TJ = 100℃
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
15 V
TJ = 25°C
图3.导通电阻与漏电流
和温度
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（标准化）
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2.5
VGS = 10 V
ID = 8的
100,000
VGS = 0 V
10,000
智能决策支持系统，漏电（ NA）
TJ = 125°C
100°C
1,000
2.0
1.5
1.0
100
25°C
0.5
0
–50
10
1.0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
TJ ，结温（ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
