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JANSR2N7262
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IRHF7230 ， IRHF8230 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7262设备
辐照后
图5 。
典型的零电压门漏
电流比。总剂量暴露
图6 。
典型导通电阻比。
中子注量水平
图8A 。
V的门应力
GSS
等于12伏在
辐射
图7 。
典型的瞬态响应
的抗辐射HEXFET在
1x10
12
Rad公司（SI ） /秒曝光
图8B 。
V
DSS
应力等于
80 ％的B
VDSS
在辐射
图9 。
高剂量率
（伽马点）测试电路
www.irf.com
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