PD - 90672C
IRHF7230
IRHF8230
重复性雪崩和dv / dt评分
JANSR2N7262
HEXFET
晶体管
JANSH2N7262
[ REF ： MIL -PRF-六百〇一分之一万九千五]
N沟道
200Volt ， 0.35Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压
在总的稳定性和击穿电压稳定
radiaition剂量高达1×10
6
拉德（SI ） 。下
相同
前和辐照后的测试条件下，在 -
ternational整流器的抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
是必须的。这些器件还能够surviv-
荷兰国际集团瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。由于抗辐射工艺采用
国际整流器公司专利的HEXFET技术，
用户可以期望的最高质量和可靠性
在同行业中。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。它们非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量
在空间和武器环境下脉冲电路。
产品概述
产品型号
IRHF7230
IRHF8230
MEGA抗辐射
BV
DSS
200V
200V
R
DS （ ON）
0.35
0.35
I
D
5.5A
5.5A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
轻量
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
5.5
3.5
22
25
0.2
±20
240
5.0
-55到150
预辐照
IRHF7230 ， IRHF8230
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98 （典型值）
www.irf.com
1
10/13/98
