IRHF7230 ， IRHF8230 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7262设备
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
包括三个辐射环境。
辐射特性
1，列2 ， IRHF8230 。表1中的值将是
满足这两条低剂量率检测电路的
被使用。前和辐照后的性能
进行测试和指定的使用相同的驱动器电路
为了提供一个直接的COM和测试条件
每个制造批在低剂量率的型坯进行测试。
（总剂量），符合MIL -STD- 750的环境中，测试
方法1019条件A.国际整流器具有高剂量率测试可以在一个特殊的做
12
所施加的每个请求基础12伏使用的剂量率至多为1×10拉德标准门状态
注6和V
DS
偏压条件等于80％ （Si）的/秒（见表2）的。
每注7.设备的额定电压前置和后置非理性国际整流器抗辐射HEXFETs
设备的diation限制照射到1×10
5
拉德一直在特征重离子单粒子
（Si）的是相同的，并在表1中给出，协作效应（ SEE ）环境。单粒子效应煤焦
UMN 1 ， IRHF7230 。设备acterization的辐照后的限制被示于表3 。
照射到1×10
6
拉德（Si）的表给出
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHF7230
民
最大
IRHF8230
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 3.5A
TC = 25°C ， IS = 5.5A ，V
GS
= 0V
民
200
1.25
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
1.68
1.4
V
nA
A
V
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
漏极至源极击穿电压200
—
栅极阈值电压
2.0
4.0
栅极 - 源极漏进
—
100
栅极 - 源极漏反
—
-100
零栅极电压漏极电流
—
25
静态漏 - 源
— 1.225
导通状态电阻一
二极管的正向电压
—
1.4
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
—
— 160 —
— 160
V
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
— 20 —
— 20
—
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 160 —
—
8.0 A /微秒光电流的上升率
1.0 —
— 20 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
离子
Cu
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
3x 10
5
范围
(m)
~43
V
DS
BIAS
(V)
180
V
GS
BIAS
(V)
-5
www.irf.com
3
