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256Mb的F-死DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
culation是一致的。
这些说明中的“时间参数由速度等级”表中引用的DDR2-400 / 667分之533和
DDR2-800.
VOH + X毫伏
VOH + 2X毫伏
太赫兹
tRPST
终点
VOL + 2X毫伏
VOL + X毫伏
VTT + 2X毫伏
VTT + X毫伏
TLZ
tRPRE
开始点
VTT - X毫伏
VTT - 2个毫伏
T2
T1
T1
T2
太赫兹， tRPST
终点
= 2*T1-T2
TLZ ， tRPRE
开始点
= 2*T1-T2
<Test方法TLZ ，太赫兹， tRPRE和tRPST>
具有差分数据选通信29输入波形定时启用致辞[位10 ] = 0时，从输入的参考显
最终穿越在V
IH （AC）的
电平到差分数据选通信号的交叉点为一个上升的信号，并从所述输入
在V信号交叉
白细胞介素（AC）的
电平到差分数据选通信号的交叉点为下降信号施加到
被测设备。
具有差分数据选通信30输入波形定时启用致辞[位10 ] = 0时，从输入的参考显
最终穿越在V
IH（ DC）的
电平到差分数据选通信号的交叉点为一个上升信号和V
IL （ DC ）
对
差分数据选通信号的交叉点为下降信号施加到被测器件。
差分输入波形时序
的DQ
的DQ
TDS
TDH
TDS
TDH
V
DDQ
V
IH （AC）的
民
V
IH（ DC）的
民
V
REF （ DC ）
V
IL （ DC ）
最大
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
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修订版1.5 2005年2月
