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256Mb的F-死DDR2 SDRAM
专用AC参数的具体注意事项
DDR2 SDRAM
9.用户可以选择主动断电退出的时机，通过MRS（ 12位）来使用。 tXARD有望成为
用于快速主动断电退出的时机。 tXARDS预计可用于慢有功功率向下射
时序。
10. AL =附加延迟
11.这是最低要求。最低读取到预充电时间是AL + BL / 2提供tRTP和
tRAS的（分）都得到满足。
12.一种最小的2个时钟周期（ 2 * TCK）是无关的工作频率的所需
13.时序，保证以1.0 V / ns的命令/地址输入转换率。
14.这些参数保证设备的行为，但它们不必在每台设备上进行测试。他们
可以通过设备的设计或测试相关性得到保证。
15.时序，保证了数据，面具，和（ DQS / RDQS在单挑模式结束） 1.0输入转换率
V / ns的。
16.时序，保证与CK / CK差分转换为2.0 V / ns的速度。时序保证DQS
与差分选通模式2.0 V / ns到1V / ns的在单一的压摆率的差分压摆率信号
端模式。
17. TDS和TDH降级为DDR2-400和DDR2-533
ΔtDS ， ΔtDH
降额值（各单位' PS ' ，注1适用于整个表）
DQS ， DQS差分压摆率
4.0 V / ns的
ΔtD
S
2.0
1.5
1.0
DQ 0.9
转换0.8
率
V / ns的0.7
0.6
0.5
0.4
125
83
0
-
-
-
-
-
-
ΔtD
H
45
21
0
-
-
-
-
-
-
3.0 V / ns的
ΔtD
S
125
83
0
-11
-
-
-
-
-
ΔtD
H
45
21
0
-14
-
-
-
-
-
2.0 V / ns的
ΔtD
S
125
83
0
-11
-25
-
-
-
-
ΔtD
H
45
21
0
-14
-31
-
-
-
-
1.8 V / ns的
ΔtD
S
-
95
12
1
-13
-31
-
-
-
ΔtD
H
-
33
12
-2
-19
-42
-
-
-
1.6 V / ns的
ΔtD
S
-
-
24
13
-1
-19
-43
-
-
ΔtD
H
-
-
24
10
-7
-30
-59
-
-
1.4V/ns
ΔtD
S
-
-
-
25
11
-7
-31
-74
-
ΔtD
H
-
-
-
22
5
-18
-47
-89
-
1.2V/ns
ΔtD
S
-
-
-
-
23
5
-19
-62
ΔtD
H
-
-
-
-
17
-6
-35
-77
1.0V/ns
ΔtD
S
-
-
-
-
-
17
-7
-50
ΔtD
H
-
-
-
-
-
6
-23
-65
0.8V/ns
ΔtD
S
-
-
-
-
-
-
5
-38
ΔtD
H
-
-
-
-
-
-
-11
-53
-127 -140 -115 -128 -103 -116
所有输入信号全部TDS （设置时间）和TDH （保持时间）所需的计算方法是加入
数据表TDS （基地）和TDH （基地）值分别三角洲TDS和增量TDH降额值。应试
PLE ： TDS （总建立时间） = TDS （基地） +三角阵。
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修订版1.5 2005年2月
