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初步
.
GS882Z18/36B-11/100/80/66
同步真值表
手术
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，继续
读周期，开始突发
读周期，继续突发
NOP /读取，开始爆发
假读，继续爆
写周期，开始突发
写周期，继续突发
NOP /写入中止，开始爆发
写入中止，继续爆发
时钟边沿忽略，失速
睡眠模式
类型地址电子
1
E
2
E
3
ZZ ADV W Bx的摹CKE CK
D
D
D
D
R
B
R
B
W
B
W
B
无
无
无
无
外
NEXT
外
NEXT
外
NEXT
无
NEXT
当前
无
H
X
X
X
L
X
L
X
L
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X
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X
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X
X
X
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X
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X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
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H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
X
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
Q
高-Z
高-Z
D
D
高-Z
笔记
1
1,10
2
1,2,10
3
1,3,10
2,3
高阻1,2,3,10
-
高-Z
4
注意事项：
1.继续突发周期，无论是读还是写，使用相同的控制输入端;一个取消继续循环才能进入，如果取消
循环，首先执行
2.虚拟读写中断可以考虑的NOP ，因为SRAM不执行任何操作。当W引脚是发生写入中止
采样低，但没有字节写引脚被激活，因此不进行任何写操作。
3. G达到有线低，以减少提供给SRAM的控制信号的数目。写在输出驱动器将自动关闭
周期。
4.如果在流水线读周期发生CKE高，在DQ总线将保持有效（低阻抗） 。如果在写周期期间发生CKE高，总线
将保持在高Z。
5， X =无关; H =逻辑高电平; L =逻辑低; BX =高=所有字节写入信号为高; BX =低=一个或多个字节/写信号
低
6.所有的输入，除了G和ZZ必须满足建立和保持的时钟上升沿时间。
7.等待的状态可以通过设置CKE高插入。
8.该设备包含的电路，以确保所有的输出都在高Z电期间。
9. 2位突发计数器中。
10.地址计数器连累所有的突发继续循环。
冯： 1.15 6/2001
7/34
1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com
