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初步
GS882Z18/36B-11/100/80/66
119焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
512K ×18和256K ×36配置
用户可配置流水线和流量通过模式
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
完全引脚兼容，既流水线和流过
NtRAM ， NOBL 和ZBT SRAM的
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择
ZQ模式引脚用户可选择的高/低输出驱动器
强度。
X16 / X32模式，具有片上奇偶校验编码和错误
发现
用2M ， 4M和16M器件引脚兼容
3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
时钟控制，注册地址，数据和控制
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的119焊球BGA封装
-11
管道
3-1-1-1
流经
2-1-1-1
t
周期
t
KQ
I
DD
t
KQ
t
周期
I
DD
10纳秒
4.5纳秒
210毫安
11纳秒
15纳秒
150毫安
-100
10纳秒
4.5纳秒
210毫安
12纳秒
15纳秒
150毫安
-80
12.5纳秒
4.8纳秒
190毫安
14纳秒
15纳秒
130毫安
-66
15纳秒
5纳秒
170毫安
18纳秒
20纳秒
130毫安
8MB流水线和流量通过
100兆赫， 66兆赫
3.3 V V
DD
同步NBT SRAM的
2.5 V和3.3 V V
DDQ
功能说明
该GS882Z818 / 36B是8Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS882Z818 / 36B可由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发的输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS882Z818 / 36B与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球BGA封装。
流经流水线和NBT SRAM返回到回读/写周期
时钟
地址
读/写
A
R
B
W
Q
A
C
R
D
B
Q
A
D
W
Q
C
D
B
E
R
D
D
Q
C
F
W
Q
E
D
D
Q
E
流经
数据I / O
流水线
数据I / O
冯： 1.15 6/2001
1/34
1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。
