初步
SGP02N120
SGB02N120 ， SGD02N120
20V
C
国际空间站
V
GE
,
门
-
发射极电压
15V
C,
电容
100pF
10V
U
CE
=960V
5V
C
OSS
C
RSS
0V
0nC
5nC
10nC
15n
10pF
0V
10V
20V
30V
Q
GE
,
栅极电荷
图17.典型栅极电荷
(I
C
= 2A)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图18.典型的电容为
集电极 - 发射极电压的函数
(V
GE
= 0V,
f
= 1MHz的）
30
s
40A
t
sc
,
短路承受时间
25
s
I
C（ SC ）
,
短路集电极电流
11V
12V
13V
14V
15V
30A
20
s
15
s
20A
10
s
10A
5
s
0
s
10V
0A
10V
12V
14V
16V
18V
20V
V
GE
,
门
-
发射极电压
图19.短路承受时间为
栅极 - 发射极电压的函数
(V
CE
= 1200V ，开始
T
j
= 25°C)
V
GE
,
门
-
发射极电压
图20.典型的短路收藏家
电流作为栅极 - 发射极电压的函数
(100V
≤V
CE
≤1200V,
T
C
= 25°C,
T
j
≤
150°C)
功率半导体
8
Mar-00
