初步
SGP02N120
SGB02N120 ， SGD02N120
I，V
di
F
/ DT
t
r r
=t
S
+
t
F
Q
r r
=Q
S
+
Q
F
t
r r
I
F
t
S
Q
S
t
F
10%
I
R M
t
V
R
I
R M
Q
F
di
r r
/ DT
90%
I
R M
二极管图C.定义
开关特性
τ
1
T
j
(t)
P（T ）
τ
2
r
2
r
1
τ
n
r
n
r
1
r
2
r
n
图A的开关时间的定义
T
C
图D.热当量
电路
开关损耗图B.定义
功率半导体
11
Mar-00
