初步
SGP02N120
SGB02N120 ， SGD02N120
快速S- IGBT在NPT技术
40％下
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
C
G
E
TYPE
SGP02N120
SGB02N120
SGD02N120
SGI02N120
最大额定值
参数
V
CE
1200V
I
C
2A
E
关闭
0.11mJ
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
TO-252AA(DPAK)
TO-262
订购代码
Q67040-S4270
Q67040-S4271
Q67040-S4269
Q67040-S4291
符号
V
CE
I
C
价值
1200
6.2
2.8
单位
V
A
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 2A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ，开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
1)
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
9.6
9.6
±20
10
10
62
-55...+150
260
V
mJ
s
W
°C
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Mar-00
功率半导体
