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HGT1N40N60A4D
典型性能曲线
190
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
180
170
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
160
150
V
GE
= 12V或15V ，T
J
= 25
o
C
140
R
G
= 2.2Ω ， L = 200mH ，V
CE
= 390V
130
30
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t
fI
，下降时间（ NS ）
（除非另有规定编）
（续）
70
65
60
55
50
45
40
35
R
G
= 2.2Ω ， L = 200mH ，V
CE
= 390V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
400
350
300
250
200
150
100
50
0
6
7
8
9
10
11
V
GE
，门到发射极电压（ V）
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲持续时间= 250毫秒
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 7.5, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 600V
V
CE
= 400V
T
J
= 125
o
C
V
CE
= 200V
50
100
150
200
250
300
350
400
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
5
T
J
= 125
o
C，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+E
关闭
4
I
CE
= 80A
70
图14.门充电波形
T
J
= 125
o
C，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+E
关闭
10
I
CE
= 80A
I
CE
= 40A
1
I
CE
= 20A
3
2
I
CE
= 40A
1
I
CE
= 20A
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
T
C
，外壳温度（
o
C)
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
图15.总开关损耗VS外壳温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
