HGT1N40N60A4D
数据表
2001年12月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
该HGT1N40N60A4D是MOS门控高压
开关器件结合了MOSFET的最佳功能
和一个双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.本
IGBT是理想的许多高电压开关应用
在高频率要求低导通损耗操作
是必不可少的。该器件经过优化，用于高
高频开关模式电源。
以前发育类型TA49349 。
特点
100kHz的工作在390V ， 22A
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
符号
C
G
订购信息
产品型号
HGT1N40N60A4D
包
SOT-227
BRAND
40N60A4D
E
包装
JEDEC风格SOT- 227B
门
辐射源
注：订货时，使用整个零件编号。
TAB
（隔离）
集热器
辐射源
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
HGT1N40N60A4D
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有说明
HGT1N40N60A4D
600
110
45
300
±
20
±
30
200A在600V
298
2.3
2500
-55到150
1.5
1.7
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
V
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS隔离电压，任何终端为例， T = 2秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
ISOL
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
底座螺丝扭矩4毫米公制螺丝尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
端子螺丝扭矩4毫米公制螺丝尺寸
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
N-M
N-M
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气连接特定的阳离子
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
V
EC
I
EC
= 40A
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C
I
CE
= 40A
V
CE
= 0.65 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 2.2
L = 200
H
测试电路（图24）
测试条件
I
C
= 250
A，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
I
C
= 40A,
V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
-
-
-
-
4.5
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.7
1.5
5.6
-
-
8.5
350
450
25
18
145
35
400
850
370
27
20
185
55
400
1220
660
2.25
最大
-
250
3.0
2.7
2.0
7
±
250
-
-
405
520
-
-
-
-
-
-
-
-
-
225
95
-
1400
775
2.7
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
V
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
I
C
= 250
A，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±
20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 2.2
,
V
GE
= 15V
L = 100
H，V
CE
= 600V
I
C
= 40A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 40A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
二极管的正向电压
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 40A
V
CE
= 0.65 BV
CES
V
GE
=15V
R
G
= 2.2
L = 200
H
测试电路（图24）
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
HGT1N40N60A4D
电气连接特定的阳离子
参数
二极管的反向恢复时间
热阻结到外壳
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
rr
R
θ
JC
测试条件
I
EC
= 40A ，二
EC
/ DT = 200A /
s
IGBT
二极管
注意事项：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
为
导通损耗，当一个典型的二极管被用在测试电路和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型是图20特定网络版。
民
-
-
-
典型值
48
-
-
最大
55
0.42
1.8
单位
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
120
（除非另有规定编）
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
100
200
300
400
500
600
700
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
I
CE
， DC集电极电流（ A）
100
T
J
= 150
o
C
T
J
= 150
o
C，R
G
= 2.2, V
GE
= 15V ， L = 100μH
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
300
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（ms）
T
C
f
最大
，工作频率（千赫）
75
o
C
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 2.2, T
J
= 125
o
C
10
I
SC
8
100
1000
800
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.42
o
C / W ，见注解
10
1
10
20
100
6
t
SC
4
600
400
2
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
200
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
I
SC
峰值短路电流（ A）
12
1200
QQ：2881677436 复制
