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HGT1N40N60A4D
操作注意事项进行的IGBT
绝缘栅双极晶体管易受
栅极绝缘破坏由该静电放电
能量通过所述装置。在处理这些设备，
应当谨慎行事，以确保该静电荷
建于处理器的人体电容不放电
通过该装置。通过适当的处理和应用
程序，但是， IGBT的，目前正在广泛
众多设备制造商在生产中使用
军事，工业和消费类应用，几乎
无损坏问题，由于静电放电。 IGBT的
可以安全地进行处理，如果以下基本预防措施
采取：
1.在此之前组装成一个电路，所有的引线应保持
短接在一起，或者通过使用金属短路
弹簧或通过插入这样的导电性材料
作为“ ECCOSORBD LD26 ”或同等学历。
2.当设备由专人从运营商删除，
所用的手应通过任何适当的接地
装置 - 例如，用金属腕带。
3.提示烙铁应接地。
4.设备不应该被插入或从其上取下
电路的电源。
5.
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
V评级
创业板
。超过额定V
GE
会导致
永久损坏在栅极区域中的氧化物层。
6.
门终止
- 这些器件的栅极是
基本上电容。电路的离开门
应避免开路或浮动。这些
条件可导致点灯装置的因
在输入电容器由于漏电压上升
电流或皮卡。
7.
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从门的单片稳压二极管发射器。如果门
需要保护的外部稳压建议。
工作频率信息
工作频率信息对典型设备
（图3）是作为用于推定装置的导
表现为一个特定的C应用程序。其他典型
频率与集电极电流（I
CE
）地块是可能的使用
在图6，图7 ，8，9所示为一个典型的单元的信息
和11的工作频率曲线图的一个典型的（图3）
设备描绘了f
MAX1
或f
MAX2
;取在每个小
点。所述信息是基于一个测量值
典型的设备中，并且由额定的最大范围内
结温。
f
MAX1
是德网络定义为f
MAX1
= 0.05/(t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
).
死区时间（分母）已被擅自日至10 ％
的导通状态的时间为50％的占空因数。其他德网络nitions
是可能的。吨
D（ OFF ）I
和T
D（ ON ）I
都德网络定义，如图21 。
器件关断延迟可以建立一个额外的频率
限制条件为应用程序于T其他
JM
. t
D（ OFF ）I
下轻轻地控制输出纹波时是很重要的
加载条件。
f
MAX2
是德网络定义为f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
关闭
+ E
ON2
） 。该
允许功耗（P
D
）是德网络由P定义
D
= (T
JM
- T
C
)/R
θJC
.
的设备的开关损耗和传导损耗的总和必须
不超过P
D
。 50％的占空因数，使用（图3）和
传导损耗（P
C
）由近似
P
C
= (V
CE
X我
CE
)/2.
E
ON2
与ê
关闭
都德网络定义的开关波形
如图21所示ê
ON2
是积分瞬时的
功率损耗（我
CE
X V
CE
）导通和E中
关闭
为
积分瞬时功率损耗（Ⅰ
CE
X V
CE
）在
关断。所有尾损失都包括在计算
E
关闭
;亦即，集电极电流等于零（我
CE
= 0).
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
