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HGT1N40N60A4D
数据表
2001年12月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
该HGT1N40N60A4D是MOS门控高压
开关器件结合了MOSFET的最佳功能
和一个双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.本
IGBT是理想的许多高电压开关应用
在高频率要求低导通损耗操作
是必不可少的。该器件经过优化，用于高
高频开关模式电源。
以前发育类型TA49349 。
特点
100kHz的工作在390V ， 22A
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
符号
C
G
订购信息
产品型号
HGT1N40N60A4D
包
SOT-227
BRAND
40N60A4D
E
包装
JEDEC风格SOT- 227B
门
辐射源
注：订货时，使用整个零件编号。
TAB
（隔离）
集热器
辐射源
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGT1N40N60A4D版本B
