FDS6990S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
示出的反向恢复特性
FDS6990S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.1
125 C
0.01
o
0.001
3A/div
0.0001
25 C
o
0V
0.00001
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
10ns/div
图12. FDS6990S SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDS6990A).
图14. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
3A/div
0V
10ns/div
图13.非SyncFET （ FDS6990A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDS6990S版本B （ W）
