FDS6990S
2001年5月
FDS6990S
双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6990S是用来取代双SO- 8
MOSFET和两个肖特基二极管同步
DC：直流电源。该30V MOSFET设计
以最大化功率转换效率，提供了一个
低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。每个MOSFET
包括使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6990S作为一个同步的低压侧开关
整流器是类似于FDS6990A的性能
与肖特基二极管并联。
特点
7.5A ， 30V。
R
DS （ ON）
= 22毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷（ 11 NC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D2
D2
D
D
D1
D1
D
5
Q1
4
3
2
Q2
6
7
G1
SO-8
销1
SO-8
S1
G
G2
S
S2
S
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
1.6
1
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990S
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6990S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6990S版本B （ W）
FDS6990S
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
23
500
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
10 V，I
D
= 7.5 A
10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
=125°C
4.5 V，I
D
= 6.5 A
10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 A
1
2.2
–6
17.5
27
24
3
V
毫伏/°C的
22
35
30
m
I
D（上）
g
FS
20
22
A
S
V
DS
= 15 V,
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1233
344
106
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
8
5
25
11
16
10
40
20
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 10 A,
11
5
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.9 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 10A
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
2.9
（注2 ）
A
V
nS
nC
0.5
17
0.7
（注3）
12.5
注意事项：
1.
R
θJA
是结到壳体和壳体的总和-to -环境，其中所述壳体热参考被定义为在焊料安装表面热阻
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6990S版本B （ W）
FDS6990S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
示出的反向恢复特性
FDS6990S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.1
125 C
0.01
o
0.001
3A/div
0.0001
25 C
o
0V
0.00001
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
10ns/div
图12. FDS6990S SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDS6990A).
图14. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
3A/div
0V
10ns/div
图13.非SyncFET （ FDS6990A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDS6990S版本B （ W）
FDS6990S
2001年5月
FDS6990S
双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6990S是用来取代双SO- 8
MOSFET和两个肖特基二极管同步
DC：直流电源。该30V MOSFET设计
以最大化功率转换效率，提供了一个
低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。每个MOSFET
包括使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6990S作为一个同步的低压侧开关
整流器是类似于FDS6990A的性能
与肖特基二极管并联。
特点
7.5A ， 30V。
R
DS （ ON）
= 22毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷（ 11 NC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D2
D2
D
D
D1
D1
D
5
Q1
4
3
2
Q2
6
7
G1
SO-8
销1
SO-8
S1
G
G2
S
S2
S
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
1.6
1
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990S
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6990S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6990S版本B （ W）
FDS6990S
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
23
500
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
10 V，I
D
= 7.5 A
10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
=125°C
4.5 V，I
D
= 6.5 A
10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 A
1
2.2
–6
17.5
27
24
3
V
毫伏/°C的
22
35
30
m
I
D（上）
g
FS
20
22
A
S
V
DS
= 15 V,
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1233
344
106
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
8
5
25
11
16
10
40
20
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 10 A,
11
5
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.9 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 10A
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
2.9
（注2 ）
A
V
nS
nC
0.5
17
0.7
（注3）
12.5
注意事项：
1.
R
θJA
是结到壳体和壳体的总和-to -环境，其中所述壳体热参考被定义为在焊料安装表面热阻
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6990S版本B （ W）
FDS6990S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
示出的反向恢复特性
FDS6990S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.1
125 C
0.01
o
0.001
3A/div
0.0001
25 C
o
0V
0.00001
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
10ns/div
图12. FDS6990S SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDS6990A).
图14. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
3A/div
0V
10ns/div
图13.非SyncFET （ FDS6990A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDS6990S版本B （ W）
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