FDS6990S
典型特征
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
40
6.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
50
5.0V
4.5V
2.6
V
GS
= 4.0V
2.2
30
4.0V
20
1.8
4.5V
5.0V
1.4
6.0V
8.0V
1
10V
10
3.5V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
0.6
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.06
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.9
I
D
= 7.5A
V
GS
= 10V
1.6
I
D
= 3.8A
0.05
0.04
o
1.3
0.03
T
A
= 125 C
1
0.02
T
A
= 25 C
0.01
o
0.7
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
I
S
，反向漏电流（ A）
50
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
40
125 C
30
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
T
A
= -55 C
o
25 C
o
1
T
A
= 125 C
25 C
o
o
0.1
-55 C
o
20
0.01
10
0
1.5
0.001
2.5
3.5
4.5
5.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6990S版本B （ W）
