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CY7C1366B
CY7C1367B
交错突发地址表
（ MODE =浮动或VDD ）
第一次
地址
A1: A0
00
01
10
11
第二
地址
A1: A0
01
00
11
10
第三
地址
A1: A0
10
11
00
01
第四
地址
A1: A0
11
10
01
00
线性突发地址表（ MODE = GND）
第一次
地址
A1: A0
00
01
10
11
睡眠模式
ZZ的输入引脚是一个异步输入。断言ZZ
放置的SRAM中一个节电“睡眠”模式。两
时钟周期都需要从这个“休眠”进入或退出
模式。在此模式下，数据的完整性是有保证。
访问时进入“睡眠”模式挂起并不是
认为是有效的，也不是完成操作
保证。该设备必须在进入之前，取消
在“睡眠”模式。 CE上， ADSP和ADSC必须保持
处于非活动状态吨的持续时间
ZZREC
在ZZ输入后回报
低。
测试条件
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ < 0.2V
此参数被采样
此参数被采样
0
2t
CYC
2t
CYC
分钟。
马克斯。
35
2t
CYC
单位
mA
ns
ns
ns
ns
第二
地址
A1: A0
01
10
11
00
第三
地址
A1: A0
10
11
00
01
第四
地址
A1: A0
11
00
01
10
ZZ模式电气特性
参数
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
t
ZZI
t
RZZI
描述
贪睡模式，待机电流
设备操作ZZ
ZZ恢复时间
ZZ积极打盹电流
ZZ不活跃，退出当前贪睡
真值表
[ 3, 4, 5, 6, 7, 8]
手术
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
贪睡模式，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
添加。二手
无
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
CE
1
H
L
L
L
L
X
L
L
L
L
L
X
X
CE
2
X
L
X
L
X
X
H
H
H
H
H
X
X
CE
3
X
X
H
X
H
X
L
L
L
L
L
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
ADSP
X
L
L
H
H
X
L
L
H
H
H
H
H
ADSC
L
X
X
L
L
X
X
X
L
L
L
H
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
写OE CLK
DQ
X
X L-H三态
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L-H三态
L-H三态
L-H三态
L-H三态
X
L-H
L-H
L-H
L-H
三态
Q
D
Q
Q
L-H三态
L-H三态
L-H三态
注意事项：
3， X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平，L =逻辑低电平。
4.写= L时，任何一个或多个字节写使能信号， BWE = L或GW = L WRITE = H时，所有写字节使能信号， BWE ， GW = H。
5. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
6. CE
1
，CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。 BGA封装只有2片选CE
1
和CE
2
.
7. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期，无论GW ， BWE ，或BW的状态
X
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是，原始设备必须被驱动为高电平的写周期开始之前，以使输出到三态。 OE是
一个不小心的写周期的剩余时间
8. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位是三态时参考
处于非活动状态，或当装置被取消，并且所有的数据位表现为输出时OE为有效（低电平） 。
9.表只列出的字节写入组合的部分列表。 BW的任何组合
X
是有效的，适合的写将在此基础上写字节是活动的进行。
文件编号： 38-05096牧师* B
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