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2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
2.7~3.0V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
25
25
5
5
5
5
30
30
三菱电机
4
