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2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
这些总结在下面的部分名称表。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
特点
- 单2.7 3.0V电源
- 小待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
- 没有时钟，没有裁判RESH
- 数据保持电源V oltage = 2.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ＃易内存扩展， S2 ， BC1 ＃
和BC2 ＃
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- OE ，在我上一个经济需求测试数据争/ O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
动力
供应
存取时间
马克斯。
70ns
待机光凭目前
（ μA @ VCC = 3.0V ）
额定值（最大值）
·皮卡尔泰
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
1.0
2
4
20
40
ACTIV ê
当前
Icc1
* （ TY页）
40mA
(10MHz)
10mA
(1MHz)
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
2.7 ~ 3.0V
M5M5W816WG -85HI
0.5
85ns
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
Q 11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
.C 。
概要： 48F7Q
NC ：无连接
*不要E3球连接到电压等级大于0V
三菱电机
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