1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
描述
该M5M5W816是一个家庭的低电压8兆位静态RAM的
16位组织为524288字，捏造三菱的
高性能的0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适用于存储应用场合
简单的接口，电池的使用和备用电池是
重要的设计目标。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
随着7.0毫米X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它给出了一个压缩的最佳解决方案
的安装面积，以及布线图案的灵活性的印刷
电路板。
从工作温度的角度来看，家庭划分
分为两个版本; "Standard"和"I - version" 。
特点
- 单1.8 2.7V电源
- 小待机电流： （ 2.7V ，典型值） 0.1μA
- 没有时钟，没有刷新
- 数据保持电源电压= 1.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ， S2 ， BC1和BC2易扩展内存
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- 参考防止数据争用的I / O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.0毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -85L
动力
供应
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
存取时间
马克斯。
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
待机电流（VCC = 2.7V ）
额定值（最大值）
*典型
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.2
0.2
0.2
0.2
---
1
---
1
---
2
---
2
16
8
16
8
---
---
30
15
活跃
当前
Icc1
（ 2.7V ，典型值）。
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
标准
0 ~ +70°C
M5M5W816WG -10L
M5M5W816WG -85H
M5M5W816WG -10H
M5M5W816WG -85LI
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -10LI
M5M5W816WG -85HI
M5M5W816WG -10HI
*典型参数表示为中心的值
分布，而不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
BC1
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ9
BC2
A3
A4
S1
DQ1
针
功能
C
DQ10
D
E
F
G
H
GND
DQ11
A5
A6
DQ2
DQ3
A0 A18地址输入
DQ1 DQ16数据输入/输出
S1
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低字节（ DQ1 8 ）
高字节（ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ12
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ13
GND
A16
DQ5
GND
DQ15
DQ14
A14
A15
DQ6
DQ7
DQ16
北卡罗来纳州
A12
A13
W
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要：
48FHA
NC ：无连接
三菱电机
1
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
功能
该M5M5W816WG由16组织为524288字
位。这些器件在单个+ 1.8 2.7V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的全静态电路，需要的不是钟也没有刷新，
并使其有用。
的操作模式是由一个组合确定
该装置的控制输入的BC1 ， BC2 ，S1，S2 ，W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
在执行写操作时的水平低W
与低级别BC1和/或BC2和低电平重叠
S1与高层S2。将地址（ A0 A18 ）必须被设置
向上的写周期之前，必须在整个过程中是稳定
周期。
读操作是由在高级别设置W执行
和OE为低电平而BC1和/或BC2和S1和S2
处于活动状态（S1 = L ，S2 = H）。
当设定的BC1在高电平和其它引脚处于
活跃阶段，上层字节是一个可选择的模式，其中
读取和写入使能，和低字节是在一个
非可选模式。和BC2设置在一个较高的水平时，
和其它引脚处于活动阶段，低级字节是在一个
可选择的模式和上层字节处于非选择的
模式。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置BC1和BC2在高电平或S1中处于高电平
或S2处于低水平，所述芯片是在一个非选择的模式
其读取和写入都被禁止。在这种模式下，
输出级处于高阻抗状态，从而允许或结与
其它芯片和由BC1 ， BC2和S1 ， S2的存储器扩展。
电源电流减小低至0.1μA （25℃ ，
典型的） ，并且所述存储器中的数据可以在+ 1V电源举行
停电时启用备用电池操作或
在非选择的模式掉电操作。
功能表
S1
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S2 BC1 BC2
L
X X
L
X X
H X将X
X H H
H L
H
H L ^ h
H L ^ h
高高低
高高低
高高低
H L
L
H L
L
H L
L
W OE
X X
X X
X X
X X
L X
H L
H H
L X
H L
H H
L X
H L
H H
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
写
读
写
读
写
读
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1
S2
BC1
BC2
W
时钟
发电机
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
VCC
GND
OE
三菱电机
2
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25∞C
标准
I-版
（ -L ， -H ）
（ -LI ，嗨）
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.5
*
~ +4.6
-0.2
*
VCC + 0.2 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
0 ~ +70
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
V
mW
°C
°C
DC电气特性
符号
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
范围
民
0.7× Vcc的
典型值
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -0.1mA
I
OL
=0.1mA
V
I
=0
~
VCC
BC1和BC2 = VIHor S1 = VIHor S2 = VIL或OE = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
BC1和BC2< 0.2V ， 0.2V S1< ，S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
-0.2 *
1.6
0.4
0.2
±1
±1
50
10
50
10
1
2
8
15
16
30
0.5
V
A
ICC
1有源电源电流
（ AC ， MOS级）
主动电源电流
ICC
2
（交流， TTL电平）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
BC1和BC2 = V
IL
，S = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
＆ GT ;
(1)
S1 = VCC - 0.2V ，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
其他输入= 0 Vcc的
-H ，嗨
嗨
-L ， -LI
-LI
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
~ +70°C
~ +85°C
ICC
3待机电源电流
（ AC ， MOS级）
＆ GT ;
(2)
S2 = 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
(3)
BC1和BC2 = VCC - 0.2V
＆ GT ;
S1 < 0.2V ， S2 = VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
40
5
40
5
0.1
0.2
-
-
-
-
-
mA
A
ICC
4
按电源电流待机
（交流， TTL电平）
BC1和BC2 = V
IH
或S1 = V
IH
或S2 = V
IL
其他输入= 0 Vcc的
mA
＆ LT ;
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度= 30ns的）
注2 ：典型参数指示分布在2.7V的中心值，而不是100 ％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
范围
典型值
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源电压
输入脉冲
输入上升时间和下降时间
参考电平
输出负载
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
1.8~2.7V
V
IH
= 0.7× Vcc时， V
IL
=0.2V
5ns
V
OH
=V
OL
=0.9V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
字节1控制访问时间
字节2控制访问时间
输出启用访问时间
之后， S1高输出禁止时间
S2后低输出禁止时间
后BC1高输出禁止时间
之后BC2高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后， S1低输出使能时间
之后S2高输出使能时间
输出使能后BC1低电平时间
输出使能后， BC2低的时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
85L ， 85H ，
85LI ， 85HI
10L， 10H，
10LI ， 10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
85
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
民
100
最大
100
100
100
100
100
50
35
35
35
35
35
10
10
10
10
5
10
10
10
10
10
5
10
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
控制字节1建立时间
字节控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
85L ， 85H ，
85LI ， 85HI
10L， 10H，
10LI ， 10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
最大
民
100
75
0
85
85
85
85
85
50
0
0
最大
30
30
5
5
5
5
35
35
三菱电机
4
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~18
t
a
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
t
CR
t
v
(A)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
(Note3)
S1
(Note3)
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE
(Note3)
W = "H"水平
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写循环（W控制模式）
A
0~18
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
(Note3)
S1
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE
t
su
(A)
W
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816WG - 85HI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
压实
安装面积以及布线模式f lexibility的印刷
电路板。
版本，
操作
温度
部件名称
特点
- 单2.7 3.0V电源
- 小待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
- 没有时钟，没有裁判RESH
- 数据保持电源V oltage = 2.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ＃易内存扩展， S2 ， BC1 ＃
和BC2 ＃
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- OE ，在我上一个经济需求测试数据争/ O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
待机光凭目前
额定值（最大值）
·皮卡尔泰
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
1.0
2
4
20
40
ACTIV ê
当前
Icc1
* （ TY页）
40mA
(10MHz)
10mA
(1MHz)
动力
供应
存取时间
马克斯。
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -
85HI
2.7 ~ 3.0V
85ns
0.5
*典型参数表示的值
中心
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
Q 11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
.C 。
概要： 48F7Q
NC ：无连接
*不要E3球连接到电压等级大于0V
三菱电机
1
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816WG - 85HI
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.0V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
三菱电机
2
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816WG - 85HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
40
10
40
10
2
4
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
＆ GT ;
(1)
S1 ＃ = VCC - 0.2V ，
＆ GT ;
S2 = VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
=
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
S1 ＃ < 0.2V ， S2 = VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
A
＆ GT ;
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ = VCC - 0.2V
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型参数表示为分布的中心值，并且不是100％测试。
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816WG - 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
2.7~3.0V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
民
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
85
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
10
10
5
5
5
10
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
30
30
5
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
三菱电机
4
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816WG - 85HI
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~18
t
a
(A)
BC1#,BC2#
(Note3)
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
t
CR
t
v
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
(Note3)
(Note3)
S1#
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE ＃
(Note3)
W＃ = "H"列弗报
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写周期（ W＃控制模式）
A
0~18
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1#,BC2#
(Note3)
(Note3)
S1#
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE ＃
t
su
(A)
W#
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1 ＃ ， S2 ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -55HI
动力
供应
待机光凭目前
(A)
存取时间
·皮卡尔泰（ 3.0V ）等级（最高
@ VCC = 3.6V
)
马克斯。
25°C
0.5
ACTIV ê
当前
Icc1
40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85° C * （ 3.0V ， TY页）
1.0
5.0
8.0
20
40
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
55ns
2.7 ~ 3.6V
70ns
85ns
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
M5M5W816WG -85HI
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
DQ11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要： 48F7Q
NC ：无连接
* E3球不要连接超过0V电压等级以上。
1
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
（注1） "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
（注2 ） "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 > VCC- 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
(1)
S1 ＃ >为VCC - 0.2V ，
S2 >为VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
A
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S1 ＃ < 0.2V ， S2 >为VCC - 0.2V
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记） 。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
注2 ：典型参数表示为分布在3.0V的中心的值，并且不是100％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
3
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
55
55HI
最大
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
20
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
55
45
0
50
50
50
50
50
30
0
0
55HI
最大
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1 ＃ ， S2 ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -55HI
动力
供应
待机光凭目前
(A)
存取时间
·皮卡尔泰（ 3.0V ）等级（最高
@ VCC = 3.6V
)
马克斯。
25°C
0.5
ACTIV ê
当前
Icc1
40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85° C * （ 3.0V ， TY页）
1.0
5.0
8.0
20
40
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
55ns
2.7 ~ 3.6V
70ns
85ns
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
M5M5W816WG -85HI
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
DQ11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要： 48F7Q
NC ：无连接
* E3球不要连接超过0V电压等级以上。
1
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
（注1） "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
（注2 ） "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 > VCC- 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
(1)
S1 ＃ >为VCC - 0.2V ，
S2 >为VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
A
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S1 ＃ < 0.2V ， S2 >为VCC - 0.2V
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记） 。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
注2 ：典型参数表示为分布在3.0V的中心的值，并且不是100％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
3
2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
55
55HI
最大
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
20
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
55
45
0
50
50
50
50
50
30
0
0
55HI
最大
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
描述
该M5M5W816是低V oltage 8兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为524288字，女abricated三菱的
高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
同为7.5mm X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它GIV ES的最佳解决方案F或a
米ounting面积以及作为f的布线图案lexibility压实
的印刷电路板。
这些总结在下面的部分名称表。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
特点
- 单2.7 3.0V电源
- 小待机电流： （ 2V ， TY P） 0.1μA
- 没有时钟，没有裁判RESH
- 数据保持电源V oltage = 2.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ＃易内存扩展， S2 ， BC1 ＃
和BC2 ＃
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- OE ，在我上一个经济需求测试数据争/ O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.5毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
动力
供应
存取时间
马克斯。
70ns
待机光凭目前
（ μA @ VCC = 3.0V ）
额定值（最大值）
·皮卡尔泰
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
1.0
2
4
20
40
ACTIV ê
当前
Icc1
* （ TY页）
40mA
(10MHz)
10mA
(1MHz)
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -70HI
2.7 ~ 3.0V
M5M5W816WG -85HI
0.5
85ns
*典型参数表示为中心的值
分配的，并且是不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1#
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ16
BC2#
A3
A4
S1#
DQ1
针
DQ14
DQ15
A5
A6
DQ2
DQ3
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A18
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND
DQ13
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ12
NC或
GND
A16
DQ5
GND
Q 11
DQ10
A14
A15
DQ7
DQ6
DQ9
北卡罗来纳州
A12
A13
W#
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
.C 。
概要： 48F7Q
NC ：无连接
*不要E3球连接到电压等级大于0V
三菱电机
1
2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.0V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
三菱电机
2
2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= -0.5mA
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
2.2
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
40
10
40
10
2
4
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
＆ GT ;
(1)
S1 ＃ = VCC - 0.2V ，
＆ GT ;
S2 = VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
(2)
S2 < 0.2V ，
=
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
S1 ＃ < 0.2V ， S2 = VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
A
＆ GT ;
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ = VCC - 0.2V
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型参数表示为分布的中心值，并且不是100％测试。
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
2.7~3.0V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S1 ＃低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1 ＃低
输出使能时AF器BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
70HI
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
25
25
5
5
5
5
30
30
三菱电机
4
2001.6.11
版本。 3.1
三菱的LSI
M5M5W816WG - 70HI ， 85HI
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~18
t
a
(A)
BC1#,BC2#
(Note3)
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
t
CR
t
v
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
(Note3)
(Note3)
S1#
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE ＃
(Note3)
W＃ = "H"列弗报
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写周期（ W＃控制模式）
A
0~18
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1#,BC2#
(Note3)
(Note3)
S1#
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE ＃
t
su
(A)
W#
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
QQ：2880707522 复制
