初步的技术数据
ADuC834
使用Flash / EE数据存储器
闪速/电擦除数据存储器的4K字节配置为1024
页，每页为4个字节。与其它ADuC834外围设备，
该接口到该存储空间是通过一组寄存器
映射到SFR空间。一组4个数据寄存器
（ EDATA1-4 ）用于容纳4个字节的数据在每
页。页面被寻址经由两个寄存器EADRH和
EADRL 。最后， ECON是一个8位的控制寄存器，它可以是
写有九个Flash / EE存储器访问命令之一
触发各种读，写，擦除和验证功能。
在SFR接口闪存的框图/ EE数据
存储器阵列被示于图29 。
3FFh
3FEh
1个字节
1个字节
2字节
2字节
BYTE 3
BYTE 3
4个字节
4个字节
页面地址
（ EADRH /
03h
02h
01h
00h
1个字节
1个字节
1个字节
1个字节
2字节
2字节
2字节
2字节
BYTE 3
BYTE 3
BYTE 3
BYTE 3
4个字节
4个字节
4个字节
4个字节
ECON - Flash / EE存储器控制SFR
任的闪速/电擦除数据存储器或闪存编程/
EE程序存储器是通过Flash / EE存储器完成
控制SFR （ ECON ） 。这SFR允许用户读取，写入，
擦除或验证4千字节闪速/电擦除数据存储器或54
闪速/电擦除程序存储器的千字节
图29.闪速/电擦除数据存储器的控制和配置
表十四。 Flash / EE存储器的并行编程模式
ECON价值
01H
读
02H
写
命令说明
（正常模式） （开机默认）
结果在Flash / EE数据存储器4个字节，
由页地址EADRH / L的处理，读取
成EDATA 1至4 。
结果
4个字节
在EDATA1-4被写入到
闪速/电擦除数据存储器，在该网页的地址EADRH / L
(0≤EADRH/L<0400h)
注：在页面中的4个字节所必须解决
预先擦除。
保留的命令
验证是否在EDATA1-4的数据被包含在
通过EADRH / L给定的页面地址。随后读
在ECON的SFR将导致一个0被读取，如果
验证是有效的，或一个非零值被读出到
表示一个无效的验证。
命令说明
（ ULOAD模式）
未实现。使用MOVC指令
结果在内部XRAM字节0-255写入
对
256字节
闪速/电擦除程序存储器在中
页面地址EADRH 。 （ 0≤EADRH<E0H ）
注：在页面中的256个字节所必须解决
预先擦除。
保留的命令
未实现。使用MOVC和MOVX
说明验证在软件中写
03H
04H
VERIFY
05H
导致的擦除
4字节页
在闪速/电擦除数据结果
64字节页
的闪速/电擦除程序
擦除页
存储器的页地址EADRH / L的处理
存储器，由字节地址EADRH / L的处理
被删除。 EADRL可以等于任何64个位置
内的页面。一个新的页面开始时EADRL是
等于00H ， 40H ， 80H或C0h区
06H
清除所有
81H
readbyte
81H
writebyte
0FH
EXULOAD
F0H
ULOAD
结果在Flash / EE的整个4K字节的擦除
数据存储器。
结果在Flash / EE存储器中的数据字节，
通过解决
字节地址EADRH / L
读
到EDATA1 。 （ 0≤EADRH / L≤0FFFh 。 ）
结果在EDATA1字节被写入到
闪速/电擦除数据存储器，在字节地址EADRH / L 。
叶说明书上的操作ECON
闪速/电擦除数据存储器。
进入ULOAD模式
使后续的ECON
指令的闪速/电擦除数据存储器进行操作。
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结果，在整个56kBytesof ULOAD的擦除
闪速/电擦除程序存储器。
结果字节的闪速/电擦除程序存储器，
通过解决
字节地址EADRH / L
读
到EDATA1 。 （ 0≤EADRH / L≤F7FFh 。 ）
结果在EDATA1字节被写入到
闪存/ EE存储器中前卫，在字节地址EADRH / L 。
进入正常模式
使后续的ECON
说明书上的闪速/电擦除程序存储器进行操作。
离开ECON说明的闪速/电擦除操作
程序存储器。
REV 。中华人民共和国（ 2002年3月12日）
