初步的技术数据
ADuC834
非易失性Flash / EE存储器
Flash / EE存储器概述
该ADuC834集成了Flash / EE存储器技术导通
芯片提供用户与非易失性，在电路
可重编程的，代码和数据的存储空间。
Flash / EE存储器是一种相对较新的类型的非易失性的
存储器技术，是基于一个单一的晶体管单元
体系结构。
这项技术基本上是EPROM技术的产物
并通过20世纪80年代末开发的。 Flash / EE存储器
采取的灵活的在线可重编程功能
EEPROM ，并将其与空间效率/密度
EPROM中的特征（参见图25） 。
因为闪存/ EE技术是基于一个单一的晶体管单元
体系结构，一个闪存存储器阵列， EPROM一样，可以是
实施实现了空间效率或存储器
由给定的设计要求的密度。
像EEPROM ，闪存可在系统编程
在一个字节的水平，尽管它必须首先被擦除;擦除是
按页进行。因此，闪存通常是和
更正确地称为Flash / EE存储器。
P RO M
T E CHN 0 1 摹
E E P RO M
T E CHN 0 1 摹
耐力
量化Flash / EE存储器中的能力
经过许多程序，读取和擦除周期中循环。在
实质，单耐久性周期包括四个不知疲倦
悬垂，连续的事件。这些事件被定义为：
一。初始页擦除序列
B 。读/校验序列
。字节的程序顺序
。第二读/校验序列
单个Flash / EE
内存
耐久性周期
S·P AC E E F F ICIENT /
DE北南ITY
F LA中文/ E E M EM RY
T E CHN 0 1 摹
IN -C IRCU I T
RE P ，R 0摹RAM M ABL ê
图25. Flash / EE存储器发展
在可靠性鉴定，每一个字节两种方案
数据和Flash / EE存储器是由00进制写入FFh循环
直到第一个失败的记录，标志着的疲劳极限
片内Flash / EE存储器。
正如本数据手册的规格页面，
在ADuC834 Flash / EE存储器耐力有资质
开展了符合JEDEC规格
A117在-40° C工业温度范围内， + 25 ° C，
和+ 85°C 。结果允许的最小的说明书
耐久性系数超过10万次电源和温度，
70万次耐久性图是典型
运行在25℃ 。
保留
量化Flash / EE存储器中的能力
保留其编程的数据随着时间的推移。再次，在ADuC834
已获得认证，符合JEDEC正式重
张力寿命规范（ A117 ）在一个特定的结
温度（T
J
= 55 ° C） 。由于这个资格的一部分proce-
杜热时， Flash / EE存储器循环到指定的耐力
上述限制，在数据保存的特点。
这意味着， Flash / EE存储器被保证保留
其数据的每一次它的全部指定的保持期限
Flash / EE存储器进行重新编程。还应当指出的
该保持寿命的基础上，活化能
0.6电子伏特，会以T减免
J
如图26 。
300
总体而言， Flash / EE存储器代表了一步接近理想
由于具有非易失性，在电路编程存储器装置
mability ，高密度和低成本。在合并
ADuC834 ， Flash / EE存储器技术，允许用户
在电路内的更新的程序代码空间，而不需要
更换远程一次性可编程（ OTP ）设备
操作节点。
Flash / EE存储器和ADuC834
该ADuC834提供了两种阵列Flash / EE存储器的用户
应用程序。闪速/电擦除程序存储器的62kBytes是亲
vided片上，以方便执行代码而没有任何外部
分立ROM设备的要求。程序存储器可
在电路被编程，使用串行下载模式
提供，使用常规的第三者存储器编程
或通过用户定义的协议谁可以配置它，就好像数据
所需。
一个4K字节闪速/电擦除数据存储器空间也提供了片上。
这可以被用作通用非易失性暂存器
区。用户访问这些区域是通过一组6个SFR 。这个空间
可在字节级被编程，但它首先必须
擦除4字节的页。
ADuC834 Flash / EE存储器可靠性
在闪存/ EE程序和数据存储器阵列
ADuC834是完全合格的两个关键Flash / EE存储器
特性，即
Flash / EE存储器自行车
耐力
和
Flash / EE存储器的数据保存。
REV 。中华人民共和国（ 2002年3月12日）
–37–
RE T E NT·
250
200
DI- S·P EC中频IC中的TIO N
100是 AR S M IN 。
一件T牛逼
J
= 55 C
150
100
50
0
40
50
60
70
80
90
100
110
T
J
JU NC TIO N TE M·P RA TURE \u003e
图26. Flash / EE存储器数据保留
