飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
输入电流
输入钳位电压
过载保护锁存
输入阻抗
1
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
应用信息
外部输入电阻为
内部过压钳位
2
内置过载保护
3
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
-
-
-
-
V
DS
= 5 V ;我
D
= 1毫安
T
mb
= 150 C
V
IS
= 10 V
I
I
= 1毫安
1.0
0.5
-
11
条件
分钟。
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
典型值。
1.5
-
10
13
55
95
35
60
马克斯。
2.0
-
100
-
-
-
-
-
单位
V
V
nA
V
k
k
R
IS
R
I
（参见图29）
R
I
=
∞ ;
R
IS
=
∞ ;
V
DS
＆ GT ; 30 V
V
II
= 5 V
V
II
= 10 V
100
1
2
-
-
-
-
-
-
开关特性
T
mb
= 25 ℃;
I
= 50
;
R
IS
= 50
（参见图29）;阻性负载R
L
= 10
.
对于波形见图28 。
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 15 V; V
IS
: 10 V
0 V
条件
V
DD
= 15 V; V
IS
: 0 V
10 V
分钟。
-
-
-
-
典型值。
8
13
100
45
马克斯。
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1 MHz的
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
PSO
C
FSO
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
保护电源引脚
电容
标志引脚电容
条件
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
PS
= 10 V
V
FS
= 10 V; V
PS
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
415
275
55
30
20
马克斯。
600
400
80
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
pF
1
内部晶体管进行放电功率MOSFET的栅极电容时过载保护动作的阻力。
外部驱动电路应该是这样的，输入电压不超过V
IS （TO）
最低时，过载保护有
操作。另请参阅数字锁存输入特性。
2
使用的R为较低的值的应用
IS
需要外部过压保护。
3
为需要的R为较低的值的应用
I
，外部过载保护策略是可以使用的标志引脚为'告诉'的控制电路
关闭输入。
1993年1月
5
启1.200
