飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
过载保护特性
有了足够的保障供应
电压TOPFET检测，当一个
过载阈值是
超标。
符号
参数
负载短路保护
1
E
DS （ TO ）
t
SC
T
J（下TO ）
过载阈值能量
响应时间
只要有足够的投入
串联电阻，它关闭
并保持闭锁直到复位
受保护的电源引脚。
条件
V
PS
= V
PSN2
; T
mb
= 25 ℃; L
≤
10
H;
R
I
≥
2 k
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
另请参阅超载
保护极限值
和输入特性。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
150
150
375
-
-
-
-
mJ
s
C
过温保护
V
PS
= V
PSN
; R
I
≥
2 k
从我阈值的结温
D
≥
0.65 A
3
传输特性
T
mb
= 25 C
符号
g
fs
I
D
参数
正向跨导
漏电流
4
条件
V
DS
= 10 V ;我
DM
= 7.5 A吨
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V;
V
IS
= 5 V
V
IS
= 10 V
分钟。
5
-
典型值。
9
25
40
马克斯。
-
-
-
单位
S
A
A
保护电源特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
PS
,
I
PSL
参数
保护器供应
保障供电电流
条件
正常运行或
保护锁
BUK104-50L
BUK104-50S
T
j
= 150 C
V
（CL）的聚苯乙烯
保护钳位电压
I
P
= 1.35毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
PSR
保护复位电压
5
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
-
-
1.5
1.0
11
0.2
0.4
2.5
-
13
0.35
1.0
3.5
-
-
mA
mA
V
V
V
反向二极管特性
T
mb
= 25 C
符号
V
SDS
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
S
= 15 A; V
IS
= V
PS
= V
FS
= 0 V;
t
p
= 300
s
不适用
6
分钟。
-
-
典型值。
1.0
-
马克斯。
1.5
-
单位
V
-
1
短路负载保护能够节省设备提供的瞬时的导通状态损耗小于该限制值
P
帝斯曼
，它总是在诉
DS
小于V
DSP
最大。
2
在适当的名义保护电源电压为每种类型。请参阅快速参考数据。
3
过温保护功能要求的最小导通状态下的漏源电压是否工作正常。规定的最小我
D
确保这一条件。
4
在过载情况。另请参阅过载保护限制值和特征。
5
在电源电压低于该过载保护电路将被复位。
6
这种类型的反向二极管不适合用于要求快速反向恢复的应用程序。
1993年1月
4
启1.200
