飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
VIS （ TO ） / V
20
马克斯。
IS / A
BUK104-50L/S
2
15
典型值。
1
分钟。
10
5
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120 140
0
0
0.5
VSD / V
1
1.5
图22 。输入阈值电压。
V
IS （TO）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= 5 V
IPS / MA
BUK104-50L/S
图25 。典型的反向二极管电流，T
j
= 25 C.
I
S
= F（V
SDS
） ;条件： V
IS
= 0 V ;牛逼
p
= 250
s
EDSM ％
1.0
120
110
100
90
80
70
0.5
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
VPS / V
8
10
12
14
0
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
图23 。典型的直流电源保护特性。
I
PS
= F（V
PS
） ;正常或超负荷运行;牛逼
j
= 25 C
国际空间法研究所/ MA
150
VPS / V = 11
10
9
100
8
7
6
50
5
4
BUK104-50L/S
图26 。正常化限制夹紧能量。
E
帝斯曼
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 15 A
V（ CL ） DSR
VDS
VDD
0
ID
0
VIS
0
RI = RIS
RF
P
F
I
P
+
L
VDS
D
TOPFET
VDD
+
VPS
-
-ID/100
D.U.T.
R 01
分流
S
0
0
2
4
6
VIS / V
8
10
图24 。典型的锁存输入特性， 25 C 。
I
ISL
= F（V
IS
） ;之后，过载保护锁存
图27 。钳位能源测试电路，R
IS
= 100
.
2
E
帝斯曼
=
0.5
LI
D
V
（CL）的DSR
/(V
（CL）的DSR
V
DD
)
1993年1月
10
启1.200
