飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
BUK201-50Y
3.0
VIG / V
BUK201-50Y
10微安
IS
BUK201-50Y
2.5
1微安
VIG （上）
2.0
1.5
VIG （关闭）
100 nA的
1.0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10 nA的
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图16 。典型的输入阈值电压。
V
IG
= F （T
j
） ;条件V
BG
= 13 V，I
L
= 80毫安
VIG / V
BUK201-50Y
图19 。典型状态的泄漏电流。
I
S
= F （T
j
） ;条件V
SG
= 5 V, V
IG
= V
BG
= 0 V
IS /微安
BUK201-50Y
8.0
500
400
7.5
300
200
7.0
100
6.5
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSG / V
1.4
1.6
1.8
2
图17 。典型输入钳位电压。
V
IG
= F （T
j
） ;我的条件
I
= 200
A，V
BG
= 13 V
IS / MA
BUK201-50Y
图20 。典型状态低的特点，T
j
= 25 C.
I
S
= F（V
SG
） ;条件V
IG
= 5 V, V
BG
= 13 V，I
L
= 0 A
VSG / V
BUK201-50Y
20
1
15
0.8
0.6
10
0.4
5
0.2
0
0
2
4
VSG / V
6
8
10
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图18 。典型状态的特性，T
j
= 25 C.
I
S
= F（V
SG
） ;条件V
IG
= V
BG
= 0 V
图21 。典型状态的低电压，V
SG
= F （T
j
).
我的条件
S
= 50
A，V
IG
= 5 V, V
BG
= 13 V，I
L
= 0 A
1996年7月
8
启1.000
