飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
BUK201-50Y
-10
-12
-14
-16
VLG / V
BUK201-50Y
0
IL / A
BUK201-50Y
IL =
-10
1毫安
-20
7.5 A
-18
TP = 300我们
-20
-22
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
-30
-40
-1.2
-1
-0.8
-0.6
VLB / V
-0.4
-0.2
0
图28 。反面典型负载的钳位电压。
V
LG
= F （T
j
） ;参数I
L
;病情V
IG
= 0 V.
VBL / V
BUK201-50Y
IL =
TP = 300我们
60
4A
1毫安
100微安
55
图31 。典型的反向二极管特性。
I
L
= F（V
BL
） ;条件V
IG
= 0 V ，T
j
= 25 C
CBL
BUK201-50Y
65
10 nF的
1 nF的
50
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
100 pF的
0
10
20
VBL / V
30
40
50
图29 。典型的电池装载钳位电压。
V
BL
= F （T
j
） ;参数I
L
;我的条件
G
= 5毫安。
IG / MA
BUK201-50Y
图32 。典型的输出电容。牛逼
mb
= 25 C
C
bl
= F（V
BL
） ;条件F = 1 MHz时，V
IG
= 0 V
IL / A
VBL （ TO）典型值。
50
BUK201-50Y
限流
0
60
-50
40
30
TP =
300美
50美
即前短
电路负荷跳闸
-100
20
10
-150
-20
-15
-10
VBG / V
-5
0
0
0
5
10
VBL / V
15
20
25
图30 。典型的反向电池特性。
I
G
= F（V
BG
） ;我的条件
L
= 0 ，T
j
= 25 C
图33 。典型的过载特性，T
mb
= 25 C.
I
L
= F（V
BL
） ;病情V
BG
= 13 V ;参数t
p
1996年7月
10
启1.000
