飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
BUK201-50Y
60
50
40
30
20
10
IL / A
BUK201-50Y
15
14
13
VBL （ TO ） / V
BUK201-50Y
典型值。
12
11
10
9
8
7
6
0
-50
5
0
50
TMB / C
100
150
200
-60
-20
20
60
100
TMB / C
140
180
图34 。典型的过载电流，V
BL
= 9 V.
I
L
= F （T
mb
） ;条件V
BG
= 13 V ;牛逼
p
= 300
s
VBL （ TO ） / V
BUK201-50Y
图36 。典型负载短路阈值电压。
V
BL （ TO ）
= F （T
mb
） ;病情V
BG
= 13 V
第i个J- MB / （K / W）
BUK201-50Y
12
10
11
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0
1u
10u
100u
1m
T / S
10m
T
10
9
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
8
0
10
20
VBG / V
30
40
0.01
100n
100m
1
10
图35 。典型负载短路阈值电压。
V
BL （ TO ）
= F（V
BG
） ;牛逼的条件
mb
= 25 C
图37 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1996年7月
11
启1.000
