飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
PHB55N03T
10
VGS / V
7518-30
120
110
100
WDSS ％
8
VDS / V = 6
6
24
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4
2
0
0
5
10
15
QG / NC
20
25
30
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 55 A;参数V
DS
IF / A
7518-30
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 28 A
80
+
L
60
VDD
VDS
TJ / C = 175
40
25
VGS
0
T.U.T.
-
-ID/100
20
RGS
0
R 01
分流
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
+
RD
VDS
VGS
0
RG
T.U.T.
VDD
-
图17 。开关测试电路。
1997年12月
6
启1.200
