飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
PHB55N03T
ID / A
80
TJ / C = 25
60
7518-30
5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
175
4
典型值。
3
40
2
分钟。
20
1
0
0
2
4
VGS / V
6
8
10
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
25
7518-30
1E-01
20
TJ / C = 25
175
1E-02
2%
典型值
98%
15
1E-03
10
1E-04
5
1E-05
0
0
20
40
ID / A
60
80
1E-06
0
1
2
3
4
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
30V的TrenchMOS
10000
7518-30
1.5
西塞
1
1000
0.5
科斯
CRSS
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
100
0.1
1
VDS / V
10
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1997年12月
5
启1.200
