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飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

合适的安装使用表面

“沟”技术。该装置

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

旨在用于直流 - 直流

转换器和通用

开关应用。

PHB55N03T

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

30

55

103

175

18

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - SOT404

针

1

2

3

mb

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

mb

符号

d

g

2

1

3

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

30

30

20

55

38

220

103

175

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

最小的足迹， FR4

板

典型值。

-

50

马克斯。

1.45

-

单位

K / W

K / W

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

1997年12月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 30 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

30

27

2.0

1.0

-

-

-

-

-

16

-

-

典型值。

-

-

3.0

-

-

0.05

-

0.02

-

-

15

-

PHB55N03T

马克斯。

-

-

4.0

-

4.4

10

500

1

20

-

18

33.5

单位

V

V

V

V

A

A

A

A

V

m

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

毫安;

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 25 A

I

D

= 55 A; V

DD

= 24 V; V

GS

= 10 V

分钟。

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

15

29.5

4.5

14

1000

390

180

15

22

30

18

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

20

35

45

25

-

-

-

单位

S

nC

nC

nC

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 5

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从漏铅焊料测

点模具中心

从源铅焊料测

点源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 55 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 55 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 25 V

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.95

1.0

70

0.1

马克斯。

55

220

1.2

-

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1997年12月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 28 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

PHB55N03T

马克斯。

80

单位

mJ

1997年12月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHB55N03T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+01

第Z / （K / W）

1E+00

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0

T

t

1E-01

P

D

t

p

p

= T

T

1E-02

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

1E-03

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

ID / A

80

12

10

60

8

VGS / V =

6.5

6

40

5.5

5

4.5

4

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

BUK7518-30

20

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

0

2

4

VDS / V

6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

5.5

6

6.5

8

1000

ID / A

7518-30

40

7518-30

100

RD

S

)

（上

DS

=V

/ ID

TP = 10我们

100美

30

10

20

12

VGS / V =

1毫秒

10

DC

10毫秒

100毫秒

10

1

1

10

VDS / V

100

0

0

20

40

ID / A

60

80

100

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年12月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHB55N03T

ID / A

80

TJ / C = 25

60

7518-30

5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK759-60

175

4

典型值。

3

40

2

分钟。

20

1

0

0

2

4

VGS / V

6

8

10

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

GFS / S

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

25

7518-30

1E-01

20

TJ / C = 25

175

1E-02

2%

典型值

98%

15

1E-03

10

1E-04

5

1E-05

0

0

20

40

ID / A

60

80

1E-06

0

1

2

3

4

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

a

2

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

C / pF的

30V的TrenchMOS

10000

7518-30

1.5

西塞

1

1000

0.5

科斯

CRSS

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

100

0.1

1

VDS / V

10

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 25 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年12月

5

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