位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第960页 > S71PL064J08-0U > S71PL064J08-0U PDF资料 > S71PL064J08-0U PDF资料3第164页
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
PSRAM类型1
为4Mbit （ 256K字×16位）
8Mbit的（ 512K字×16位）
16兆（ 1M字×16位）
32兆（ 2M字×16位）
64Mbit的（ 4M字×16位）
特点
快速的循环时间
— T
加
< 70纳秒
— T
加
< 65纳秒
— T
加
< 60纳秒
— T
加
< 55纳秒
极低的待机电流
— I
SB
< 120 μA （ 64M和32M ）
— I
SB
< 100 μA （ 16M ）
极低的工作电流
- 电流Icc < 25毫安
功能说明
模式
阅读（字）
阅读（低字节）
阅读（高字节）
写（字）
写（低字节）
写（高字节）
输出禁用
待机
深度掉电
CE＃
L
L
L
L
L
L
L
H
H
CE2/ZZ#
H
H
H
H
H
H
H
H
L
OE ＃
L
L
L
X
X
X
H
X
X
WE＃
H
H
H
L
L
L
H
X
X
UB ＃
L
H
L
L
H
L
X
X
X
磅＃
L
L
H
L
L
H
X
X
X
地址
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I / O 1-8
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
无效
高-Z
高-Z
高-Z
I / O 9-16
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
无效
DIN
高-Z
高-Z
高-Z
动力
I
活跃
I
活跃
I
活跃
I
活跃
I
活跃
I
活跃
I
活跃
I
待机
I
深度睡眠
绝对最大额定值
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
VIN，VOUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+0.3
-0.2 3.6
1
-55到150
-25到85
单位
V
V
W
°C
°C
164
PSRAM类型1
2004年pSRAM_Type01_12_A0 6月8日，
