A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
直流特性（ 16Mb的PSRAM异步）
异步
性能等级
密度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
IL
I
LO
参数
电源
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输出漏电流
VIN = 0 V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
I
OH
= -1.0毫安
V
OH
输出高电压
I
OH
= -0.2毫安
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
= 2.0毫安
V
OL
输出低电压
I
OL
- 0.2毫安
I
OL
- 0.5毫安
I
活跃
I
待机
I
深度睡眠
I
PAR 1/4
I
PAR 1/2
工作电流
待机电流
深度掉电电流
1/4阵列PAR电流
1/2阵列PAR电流
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 3.3 V
x
x
x
25
100
mA
A
A
A
A
23
100
mA
A
A
A
A
0.4
V
0.4
V
V
CC
-0.4
V
条件
-55
16MB PSRAM
最低
2.7
2.2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.6
0.5
0.5
单位
V
V
V
A
A
V
CC
-0.4
V
-70
16MB PSRAM
最低
2.7
2.2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.6
0.5
0.5
单位
V
V
V
A
A
x
x
x
2004年6月8日pSRAM_Type01_12_A0
PSRAM类型1
167
